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商品說明


創見 4G DDR3-1866 DDR3-1866 (ECC Unbuffer)

型號:TS512MLK72V8N

因應全球企業伺服器虛擬化的需求，創見DDR3-1866記憶體模組嚴選高品質DRAM晶片製成，並通過最嚴謹的實機測試，能百分百相容於Intel Romley-EP平台伺服器，搭載最新Intel? Xeon? E5-2600 v2系列處理器(代號為Ivy Bridge-EP)，展現卓越的效能與耐久度。 每支DDR3-1866記憶體模組均採用1866MHz時脈頻率及13-13-13時序規格，工作電壓為1.5伏特；內建 ECC (Error Correction Code)自動錯誤校正功能，可自動偵測並修正錯誤，不僅降低系統因大量運算時產生誤差的風險，更確保資料傳輸的可靠性。

創見 DDR3桌上型電腦專用之盒裝記憶體模組採新式Fly-by電路架構設計，可使DRAM與控制器 (Controller)間的訊號傳輸更有效率；支援ODT（On-DIMM Termination）技術，可降低高速運作時記憶體訊號的回授，提高記憶體時脈的極限值。此外，其在佈線路徑、走線長度及電氣特性方面，均完全符合 JEDEC（the Joint Electron Device Engineering Council）的嚴格規範，可適用於嚴苛的工作環境，並避免雜訊干擾；搭載原廠之FBGA記憶體晶片，可提供絕佳的電氣特性及散熱性，大幅提昇系統的整體效能。

產品特色:

記憶體產品穩定耐用?高度相容性保證
100%嚴密測試
終身保固

























商品規格
記憶體類型： DDR3 Memory
針腳及模組： 240Pin Long-DIMM
頻率： DDR3-1866MHz
功能： ECC Unbuffer
容量： 4GB
顆粒： 256Mx8 (bit)(單顆顆粒容量)
電壓： 1.5 V
ＣＬ值： 13
PS. 下標時請註明顏色，若無則隨機出貨
資料來源：創見

※商品圖檔顏色因電腦螢幕設定差異會略有不同，以實際商品顏色為準

※以上規格資料若有任何錯誤，以原廠所公佈資料為準。

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